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“풀 HD 영화 163편 1초 만에”…SK하이닉스, 업계 최초 ‘HBM3’ 개발

“풀 HD 영화 163편 1초 만에”…SK하이닉스, 업계 최초 ‘HBM3’ 개발

기사승인 2021. 10. 20. 09:22
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SK하이닉스, 업계 첫 HBM3 개발
SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램_1
SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램./제공=SK하이닉스
SK하이닉스가 현존 D램 중 데이터 처리 속도가 가장 빠르고 최대 용량인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다.

SK하이닉스는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있는 ‘HBM3’ 개발에 성공했다고 20일 밟혔다. 이는 풀 HD급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이라고 회사측은 전했다.

이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다는 설명이다.

SK하이닉스는 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다.

SK하이닉스는 HBM3를 채용하는 시스템이 구축되는 내년 중반께부터 본격적으로 HBM3를 양산할 계획인 것으로 알려졌다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 1세대인 HBM, 2세대 HBM2, 3세대 HBM2E에 이은 4세대 제품이다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 2세대 HBM을 개선한 3세대 HBM2E D램 양산을 시작했다. 이를 개발한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발했다.

SK하이닉스는 HBM3에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있어, D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있다고 전했다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다.

24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의1인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다.

TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.

SK하이닉스는 HBM3가 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 것으로 기대했다.

SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.
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