삼성전자, AI 칩 리더십 이끈다…CXL·HBM 메모리 공개

美 실리콘밸리 멤콘 2024서 기조연설

최진혁 삼성전자 미주 메모리 연구소장이 26일(현지시간) 미국 마운틴뷰에서 열린 '멤콘 2024'에서 발표하고 있다. /삼성전자

삼성전자가 국제 반도체 컨퍼런스에서 AI(인공지능) 시대를 겨냥한 차세대 메모리 솔루션을 선보였다. AI향 고성능 칩에 대한 수요가 증가하는 가운데 CXL(컴퓨트익스프레스링크)과 HBM(고대역폭 메모리)을 회사의 성장 동력으로 점찍고 이 시장 주도권을 잡겠단 계획이다.

최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장(부사장)과 황상준 D램 개발실장(부사장)은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘 2024'에서 AI 시대를 이끌어 갈 'CXL 기술 기반 메모리와 고성능·고용량의 HBM을 공개했다.

최 부사장과 황 부사장은 이날 기조 연설을 통해 "이들 솔루션이 업계 혁신을 주도하고 있다"며 "메모리 용량 측면에서는 CXL 기술이, 대역폭 측면에서는 HBM이 미래 AI 시대를 주도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

그러면서 이들은 CMM-D(D램), 낸드와 D램을 함께 사용하는 CMM-H(하이브리드), 메모리 풀링 솔루션인 CMM-B(박스) 등 CXL 기반 솔루션을 선보였다. CXL은 CPU(중앙처리장치)와 GPU(그래픽처리장치), 메모리 반도체를 연결해 데이터 처리 속도와 용량을 높이는 기술로, 생성형 AI로 데이터양이 많이 증가하면서 차세대 메모리 기술로 꼽히고 있다.

최진혁 부사장은 "CXL은 메모리의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있어 삼성전자만의 다양한 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다"고 말했다.

삼성전자는 HBM 솔루션도 강조했다. 삼성전자는 6세대 HBM의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이를 적용해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어간다는 계획이다. 황상준 부사장은 "양산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 상반기에 양산해 AI 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다"고 밝혔다.